[发明专利]防止顶端喷嘴开裂的方法以及高密度等离子机台有效

专利信息
申请号: 201610608998.2 申请日: 2016-07-29
公开(公告)号: CN106206225B 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 刘涛;黄彪;刘玮;徐伯山 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01J37/20 分类号: H01J37/20;H01J37/317;H01L21/67
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 智云
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种防止顶端喷嘴开裂的方法以及高密度等离子机台。根据本发明的防止顶端喷嘴开裂的方法包括第一步骤为高密度等离子机台的用于平衡气流的顶端喷嘴配置钛合金丝套;第二步骤在高密度等离子机台的腔体内,利用预定工艺气体在等离子体增强条件下在硅片表面进行化学气相沉积以形成薄膜。
搜索关键词: 防止 顶端 喷嘴 开裂 方法 以及 高密度 等离子 机台
【主权项】:
一种防止顶端喷嘴开裂的方法,其特征在于包括:第一步骤:为高密度等离子机台的用于平衡气流的顶端喷嘴配置钛合金丝套;第二步骤:在高密度等离子机台的腔体内,利用预定工艺气体在等离子体增强条件下在硅片表面进行化学气相沉积以形成薄膜。
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