[发明专利]一种集成双极性神经刺激脉冲发生器

摘要

本发明公开了一种集成双极性神经刺激脉冲发生器，包括微处理器及其开关信号控制的基准微电流源、多档镜像微电流阱和多路多档镜像电流源，以及镜像微电流源、脉冲宽度调制(PWM)电平提升电路和H‑桥。所述微处理器的PWM信号首先经所述PWM电平提升电路进行电平提升，然后送给所述H‑桥。所述多档镜像微电流阱是基准微电流源的镜像电流源；所述多档镜像微电流阱与镜像微电流源构成组合电流源；所述多路多档镜像电流源是镜像微电流源的镜像电流源，并将其电流输送给所述H‑桥，以输出频率、占空比和幅度可调的双极性神经刺激脉冲。本发明基于集成电路制造工艺，其构造紧凑，体积较小，使用方便。

主权项

1.一种集成双极性神经刺激脉冲发生器，其特征在于：由微处理器(10)，基准微电流源(20)、多档镜像微电流阱(30)、镜像微电流源(40)、多路多档镜像电流源(50)、脉冲宽度调制电平提升电路(60)和H‑桥(70)组成；其中，所述微处理器(10)分别与所述基准微电流源(20)、多档镜像微电流阱(30)、多路多档镜像电流源(50)和PWM电平提升电路(60)连接；所述基准微电流源(20)由依次串联的电阻、开关管和NMOS管构成，所述开关管受所述微处理器(10)开关信号的控制，所述基准微电流源(20)还与所述多档镜像微电流阱(30)连接，且所述多档镜像微电流阱(30)是所述基准微电流源(20)的镜像电流源；所述多档镜像微电流阱(30)由多个NMOS管和多个与之各自相连的开关管构成，且每个NMOS管分别为所述基准微电流源(20)中NMOS管的镜像，即两者的栅极和源极各自对应相连；所述多档镜像微电流阱(30)还与所述镜像微电流源(40)连接，且所述多档镜像微电流阱(30)与镜像微电流源(40)构成组合电流源；所述镜像微电流源(40)由单个NMOS管构成；所述镜像微电流源(40)还与所述多路多档镜像电流源(50)连接，且所述多路多档镜像电流源(50)是所述镜像微电流源(40)的镜像电流源；所述多路多档镜像电流源(50)由两路相同的多档镜像电流源构成；其中每路所述多档镜像电流源由多个PMOS管和多个与之各自相连的开关管构成，其开关管受所述微处理器(10)开关信号的控制；所述多路多档镜像电流源(50)还与所述H‑桥(70)连接，将其输出的电流输送给所述H‑桥(70)；所述脉冲宽度调制电平提升电路(60)由两路相同的电平转移电路构成，且每路电平转移电路由两级级联的反相器构成；所述脉冲宽度调制电平提升电路(60)还与所述H‑桥(70)连接，将提升电平输送给所述H‑桥(70)；所述H‑桥(70)由四个开关管构成H‑桥型电路；所述H‑桥(70)输出频率、占空比和幅度可调的双极性神经刺激脉冲。