[发明专利]利用SRAM缓存降低EEPROM无效擦除写入操作的方法有效
| 申请号： | 201610603727.8 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN106155941B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 王勇;郜时兴;葛苒 | 申请（专利权）人： | 河南西瑞医疗电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/14 | 分类号： | G06F12/14 |
| 代理公司： | 郑州德勤知识产权代理有限公司 41128 | 代理人： | 黄军委 |
| 地址： | 450008 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用SRAM缓存降低EEPROM无效擦除写入操作的方法，包括以下步骤：步骤1，在SRAM中定义缓存Cache1、缓存Cache2，并将EEPROM中所有应用数据分别存入至所述缓存Cache1和所述缓存Cache2中；步骤2，当需要对EEPROM进行擦除写入操作时，在所述缓存Cache1中修改相应的应用数据；步骤3，当监测到供电电源的压降超过限制额度或运行结束时，遍历并比对所述缓存Cache1和所述缓存Cache2中对应位置处的应用数据，若所述缓存Cache1和所述缓存Cache2中对应位置处的应用数据不同，则用所述缓存Cache1中对应的应用数据更新EEPROM中对应的应用数据。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 sram 缓存 降低 eeprom 无效 擦除 写入 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用SRAM缓存降低EEPROM无效擦除写入操作的方法，包括以下步骤：步骤1，在SRAM中定义缓存Cache1，并将EEPROM中所有应用数据存入至所述缓存Cache1中；在SRAM中定义缓存Cache2，并将EEPROM中所有应用数据存入至所述缓存Cache2中；步骤2，当需要对EEPROM进行擦除写入操作时，在所述缓存Cache1中修改相应的应用数据；步骤3，监测供电电源的压降是否超过限制额度或运行是否结束；当供电电源的压降超过限制额度或者运行结束后，遍历并比对所述缓存Cache1和所述缓存Cache2中所有对应位置处的应用数据，若所述缓存Cache1和所述缓存Cache2中对应位置处的应用数据不同时，用所述缓存Cache1中对应的应用数据更新EEPROM中对应的应用数据，以将所述缓存Cache1相对于所述缓存Cache2的变化部分在EEPROM相应位置重现。
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