[发明专利]硫化钴镍/泡沫镍超级电容器电极的制备方法在审
| 申请号： | 201610598938.7 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106158419A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 高志永;陈晨;武大鹏;徐芳;张玲翠;蒋凯 | 申请（专利权）人： | 河南师范大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/26;H01G11/30 |
| 代理公司： | 新乡市平原专利有限责任公司 41107 | 代理人： | 路宽 |
| 地址： | 453007 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硫化钴镍/泡沫镍超级电容器电极的制备方法，以泡沫镍、硝酸钴、硝酸镍和硫脲为原料，以氟化铵为刻蚀剂，以聚乙烯吡咯烷酮为形貌控制剂，在水热反应釜中于100‑180℃水热反应2‑8h，在泡沫镍基底上沉积生长超薄片层组装蜂窝状多级结构硫化钴镍形成活性电极。本发明制备的硫化钴镍电极能提供较高的赝电容，同时具备较高的电子和离子导电性以及优越的结构韧性，从而能全方位提高电容器的比电容和倍率性能。 | ||
| 搜索关键词： | 硫化 泡沫 超级 电容器 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
硫化钴镍/泡沫镍超级电容器电极的制备方法，其特征在于：以泡沫镍、硝酸钴、硝酸镍和硫脲为原料，以氟化铵为刻蚀剂，以聚乙烯吡咯烷酮为形貌控制剂，在水热反应釜中于100‑180℃水热反应2‑8h，在泡沫镍基底上沉积生长超薄片层组装蜂窝状多级结构硫化钴镍形成活性电极。
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