[发明专利]碳载PGM基催化剂内孔结构的氧化控制在审
申请号: | 201610586798.1 | 申请日: | 2016-07-22 |
公开(公告)号: | CN106410222A | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | M·K·卡彭特;Z·刘;A·康卡纳得 | 申请(专利权)人: | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 |
主分类号: | H01M4/90 | 分类号: | H01M4/90 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 韦欣华,杨思捷 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种碳载催化剂,其包括平均微孔径小于约70埃的碳载体和设置在碳载体之上的铂族金属。一种用于制备碳载催化剂的方法包括下述步骤提供第一碳载催化剂,第一碳载催化剂具有负载于碳载体上的铂族金属。第一碳载催化剂具有第一平均微孔径和第一平均比表面积。第一碳载催化剂在低于约250℃的温度下在预定时间段内与含氧气体接触,以形成第二碳载催化剂。第二碳载催化剂具有第二平均孔径和第二平均比表面积。在特征上,第二平均孔径大于第一平均孔径,而第二平均比表面积小于第一平均比表面积。 | ||
搜索关键词: | 碳载 pgm 催化剂 结构 氧化 控制 | ||
【主权项】:
一种用于形成碳载催化剂的方法,所述方法包括:提供第一碳载催化剂,所述第一碳载催化剂具有负载在第一碳载体上的铂族金属,所述第一碳载体具有第一平均孔径和第一平均比表面积;以及在预定时间段内在低于约250℃的温度下将所述第一碳载催化剂与含氧气体相接触,以形成第二碳载催化剂,所述第二碳载催化剂包括具有第二平均孔径和第二平均比表面积的不同的碳载体,所述第二平均孔径大于所述第一平均孔径并且所述第二平均比表面积小于所述第一平均比表面积。
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