[发明专利]超低介电常数微波介电陶瓷Li2In4Ge3O13在审
| 申请号： | 201610583410.2 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106242530A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 徐敏育;段炼;卢锋奇 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C04B35/634 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2In4Ge3O13及其制备方法。(1)将纯度为99.9％(重量百分比)以上的Li2CO3、In2O3和GeO2的原始粉末按Li2In4Ge3O13的组成称量配料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在1150～1200℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3％。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好，介电常数达到6.4～7.2，其品质因数Qf值高达79000‑96000GHz，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 微波 陶瓷 li2in4ge3o13 | ||
【主权项】：
一种高品质因数温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷，其特征在于所述微波介电陶瓷的化学组成为：Li2In4Ge3O13；所述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为：(1)将纯度为99.9％(重量百分比)以上的Li2CO3、In2O3和GeO2的原始粉末按Li2In4Ge3O13的组成称量配料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在1150～1200℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇添加量占粉末总质量的3％。
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