[发明专利]一种纳米氟化钴/C正极材料的制备方法在审
| 申请号： | 201610579407.3 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106207117A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张正富;汤梦云;王梓;刘警峰 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种纳米氟化钴/C正极材料的制备方法，属于锂离子电池技术领域；本发明所述方法将一定量的草酸钴和过量的粉末状聚四氟乙烯充分混合研磨，将均匀混合物装入氧化铝坩埚,在氩气环境下焙烧；其焙烧温度为500~650℃，保温温度为1~3h。焙烧完成后，随炉冷却到室温，得到焙烧产物即为氟化钴/C；将产物取出，研磨后得到细小的纳米氟化钴/C粉末。本发明所述方法制备得到的纳米氟化钴/C具有粒度小、均匀、炭紧密包覆氟化亚铁等优点，焙烧过程中的保温时间较短，保证颗粒均匀细小，避免其长大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 氟化 正极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米氟化钴/C正极材料的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：（1）将草酸钴和粉末状聚四氟乙烯混合均匀，然后置于氩气环境下快速升温至500~650℃，保温为1~3h，焙烧完成后，随炉冷却到室温；（2）取出产物研磨分散后得到纳米氟化钴/C正极材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学，未经昆明理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610579407.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
