[发明专利]IBC电池、电池组及制备方法有效
申请号: | 201610577347.1 | 申请日: | 2016-07-21 |
公开(公告)号: | CN106158990B | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 王子谦;刘大伟;翟金叶;李锋;史金超;宋登元 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人: | 申超平 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种IBC电池、电池组及制备方法,涉及太阳能电池技术领域。所述电池包括N型硅片,所述N型硅片的背光面被等分为上下两部分,每部分内设有一行若干列P型掺杂区域,P型掺杂区域之间或P型掺杂区域与所述硅片的边沿之间设有一个N型掺杂区域,形成交替相邻的P型掺杂区域和N型掺杂区域,上半部分中每个掺杂区域与之对应的下半部分中的掺杂区域通过同一条主栅线连接,每条主栅线上设有若干条副栅线,用于连接掺杂区域上的副栅区域。所述IBC电池在保持电池光电转换效率的前提下,增加了电池开压,减小电流,有利于减小组件封装中由于焊带电阻带来的功率损失。 | ||
搜索关键词: | ibc 电池 电池组 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种IBC电池,其特征在于:包括N型硅片(1),所述N型硅片(1)的背光面被等分为上下两部分,每部分内设有一行若干列P型掺杂区域(2),P型掺杂区域(2)之间或P型掺杂区域(2)与所述硅片的边沿之间设有一个N型掺杂区域(3),形成交替相邻的P型掺杂区域(2)和N型掺杂区域(3),其中上半部分每个P型掺杂区域(2)上的主栅区域与与之对应的下半部分N型掺杂区域(3)上的主栅区域在同一条直线上,上半部分每个N型掺杂区域(3)上的主栅区域与与之对应的下半部分P型掺杂区域(2)上的主栅区域在同一条直线上,上半部分中每个掺杂区域与与之对应的下半部分中的掺杂区域通过同一条主栅线(4)连接,每条主栅线(4)上设有若干条副栅线(5),用于连接掺杂区域上的副栅区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的