[发明专利]一种测量隔磁片使用寿命的疲劳试验方法在审

专利信息
申请号: 201610554515.5 申请日: 2016-07-14
公开(公告)号: CN106226166A 公开(公告)日: 2016-12-14
发明(设计)人: 钱浩;谢永诚;刘刚;王德斌;许艳涛;张东升;刘斌;韩超 申请(专利权)人: 上海核工程研究设计院;上海大学
主分类号: G01N3/20 分类号: G01N3/20
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司31253 代理人: 冯子玲
地址: 200233*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种测量隔磁片使用寿命的疲劳试验方法,其特征在于,包括如下步骤:针对控制棒驱动机构整体进行数值建模分析;针对所设计的隔磁片弯曲等效疲劳试验装置进行数值建模分析;将上述两种分析结果进行对比;基于弯曲等效疲劳试验装置进行疲劳试验,并绘制关系曲线图。本发明提供的测量隔磁片使用寿命的疲劳试验方法,解决了控制棒驱动机构实际工作状态下隔磁片破坏过程无法直接观测与度量的问题,通过数值建模分析验证后的弯曲等效疲劳试验方法,针对隔磁片在衔铁冲击作用下的破坏机理进行分析与研究并作出隔磁片疲劳寿命预估。
搜索关键词: 一种 测量 磁片 使用寿命 疲劳 试验 方法
【主权项】:
一种测量隔磁片使用寿命的疲劳试验方法,其特征在于,包括如下步骤:S1.针对控制棒驱动机构整体进行数值建模分析,得到隔磁片受到衔铁冲击作用下所产生的第一主应力以及弯曲挠度值;S2.针对所设计的隔磁片弯曲等效疲劳试验装置进行数值建模分析,得到隔磁片在不同的弯曲载荷作用下所产生的第一主应力以及弯曲挠度值;S3.将上述两种分析结果进行对比,验证所设计的弯曲等效疲劳试验装置是否可用于研究隔磁片的疲劳破坏机理;S4.基于弯曲等效疲劳试验装置进行疲劳试验,并绘制关系曲线图。
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