[发明专利]一种采用金属硅化物的手性超结构有效
| 申请号： | 201610549770.0 | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN106200012B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 鄢波;钟柯松;隋成华;马洪锋;高凡;徐丹阳;陈乃波 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230 | 代理人： | 胡丽英 |
| 地址： | 310014 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及光学领域，尤其涉及一种手性超结构。本发明中的一种采用金属硅化物的手性超结构，包括沿着光线入射方向依次设有的上硅化物层、介质层、下硅化物层和衬底层；上硅化物层、介质层和下硅化物层具有相同的平面结构，所述平面结构包括多个周期为p的单元结构,单元结构为四个中心对称的圆环和十字相交的长方形组成，圆环的内径为r1，圆环的外径为r2,长方形的长为l,长方形的宽m=r2‑r1；上硅化物层4和下硅化物层2厚度为t，介质层3的厚度为d。以NiSi为例，左，右圆偏振光透射谱线在磁共振点附近分开，产生了约0.42的圆二色性以及0.7的椭圆率，并发生相位突变，在共振点产生了从60°到‑55°的偏振旋转。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 金属硅 手性 结构 | ||
【主权项】：
1.一种采用金属硅化物的手性超结构，包括沿着光线入射方向依次设有的上硅化物层、介质层、下硅化物层和衬底层；上硅化物层、介质层和下硅化物层具有相同的平面结构，所述平面结构包括多个周期为p的单元结构,单元结构为四个中心对称的圆环和十字相交的长方形组成，圆环的内径为r1，圆环的外径为r2,长方形的长为l,长方形的宽m=r2‑r1；上硅化物层4和下硅化物层2厚度为t，介质层3的厚度为d, 其特征在于，上硅化物层4和下硅化物层2所采用材料的两个Drude模型参数ωp，ωτ呈现开口向下的喇叭型分布。
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