[发明专利]一种蕙兰无毒苗培养繁殖方法

摘要

本发明涉及植物培养繁殖技术领域，具体涉及一种蕙兰无毒苗培养繁殖方法，包括以下步骤：植株热处理、材料选取、材料消毒、原球茎诱导培养、增殖继代培养、壮苗培养和移栽，采用本方法能使培养后的蕙兰苗株发病率低，成苗率高，苗株品质好，栽培后适应性强，苗株长势良好，通过生物技术手段在短时间内，满足了商业化生产的需求，为企业规模化、产业化培养蕙兰无毒苗提供了技术支持。

主权项

一种蕙兰无毒苗培养繁殖方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)植株热处理：将无病虫害长势良好的蕙兰放入培养箱中进行培养，培养期间，培养箱内湿度为80～90％，培养箱内温度开始时为30℃，每隔一天上升1℃，直至38℃，培养时间为22～25d，光照时间为16h/d，光照强度为3000～5000lx；(2)材料选取：将上述热处理后的蕙兰从培养箱中取出，切取蕙兰的茎尖；(3)材料消毒：将上述切取的茎尖用清水冲洗干净，冲洗后剥去外层叶片，在超净工作台上用体积分数为70％的酒精浸泡20～30s，然后用质量分数为0.2％的氯化汞溶液分2～3次共消毒5～6min，每次用氯化汞溶液消毒后用无菌水漂洗5次，并用消毒滤纸吸干表面水分；(4)原球茎诱导培养：将上述消毒后的茎尖在解剖镜下剥离成长度为0.3～0.5mm的茎段，然后接种到诱导培养基中进行培养，所述诱导培养基为：B5培养基+0.3～0.7mg/L 6‑BA+0.1～0.3mg/L IBA+0.2～0.3mg/L VC+0.05～0.15mg/L GA3，培养时间为22～25d，培养温度24～26℃，光照时间为12h/d，光照强度为1500～2000lx；培养时间结束后，再将培养材料整体移入新的诱导培养基中继续培养，培养时间为15～20d，培养温度24～26℃，光照时间为12h/d，光照强度为1500～2000lx；(5)增殖继代培养：将培养后的原球茎在无菌工作台上进行分割，然后在接入到增殖培养基中继续培养，所述增殖培养基为：B5培养基+0.8～1.5mg/L6‑BA+0.1～0.3mg/L NAA+8～12％椰汁，培养条件：培养温度24～26℃，光照时间为12h/d，光照强度为1500～2000lx；(6)壮苗培养：增殖继代培养后，选择高2cm以上、基部有明显突起的小苗转入壮苗培养基中培养，所述壮苗培养基为：B5培养基+2～4mg/L NAA，培养时间为15～20d，培养温度24～26℃，光照时间为13h/d，光照强度为1800～21000lx；培养时间结束后，再向壮苗培养基中加入0.3％活性炭，培养温度27～29℃，光照时间为15h/d，光照强度为2500～3000lx；(7)移栽：当试管苗生长至4～5cm高，根2～4条，叶1～2片时，将试管苗放在自然光下炼苗5～7天，打开瓶盖炼苗1～2天；然后取出培养苗，用清水洗净附着在根部的培养基，清洗时注意不要损害根部，然后移栽至水苔和腐殖土质量比为1:2的混合基质中，保持湿度和通风，空气湿度为75～85％，温度为20～25℃。