[发明专利]包括硅可控整流器的静电放电保护装置

摘要

一种包括硅可控整流器的静电放电保护装置。在一个例子中，该硅可控整流器包括位于半导体衬底中的第一n型区。该硅可控整流器还包括在该半导体衬底中与该第一n型区相邻而定位的第一p型区。该硅可控整流器另外包括位于该第一n型区中的n型接触区和p型接触区。该硅可控整流器还包括位于该第一p型区中的n型接触区和p型接触区。该硅可控整流器另外包括电阻率比该第一p型区更高的阻挡区。该阻挡区位于在该第一p型区中的该n型接触区和该p型接触区之间，用于降低该硅可控整流器的触发电压。

主权项

一种静电放电保护装置，其特征在于，包括硅可控整流器，所述硅可控整流器包括：位于半导体衬底中的具有第一导电类型的区域；在所述半导体衬底中与所述具有第一导电类型的所述区域相邻的具有第二导电类型的区域；位于所述具有第一导电类型的区域中的第一导电类型的接触区和第二导电类型的接触区；位于所述具有第二导电类型的区域中的第一导电类型的接触区和第二导电类型的接触区，以及电阻率比所述具有第二导电类型的区域更高的阻挡区，其中所述阻挡区位于在所述具有第二导电类型的区域中的所述第一导电类型的接触区和所述第二导电类型的接触区之间，用于降低所述硅可控整流器的触发电压。