[发明专利]一种通过静电驱动进行调节的太赫兹带阻滤波器

摘要

本发明为一种通过静电驱动进行调节的太赫兹带阻滤波器，硅基底的通孔上为二维阵列，上方进入的太赫兹波穿过二维阵列得到滤波，从通孔射出。阵列单元包括倒梯形环结构和一字形结构，倒梯形环长底边在上、短底边在下，中空部位也为梯形，一字形与梯形环短底边相对且平行；可动框架套在二维阵列外，框架左右连接静电梳齿驱动器的活动梳齿，阵列中同一行的倒梯形环结构或一字形结构连接框架内侧，框架前后侧连接梳齿驱动器的活动梳齿。直流电压驱动静电梳齿驱动器和梳齿驱动器工作，带动可动框架移动，倒梯形环结构和一字形结构相对运动，改变间距，调节本带阻滤波器的透射功率和中心频率，显著提高了太赫兹带阻滤波器的性能，并拓展其应用范围。

主权项

1.一种通过静电驱动进行调节的太赫兹带阻滤波器，主要包括硅基底(1)和其上的二维阵列，硅基底(1)上有通孔(13)，通孔(13)的中心与二维阵列的中心重合，通孔(13)的最大线径等于或大于二维阵列的最大边长；太赫兹波从二维阵列上方进入，穿过二维阵列得到滤波，从通孔(13)射出；二维阵列的边长为入射太赫兹波束的直径1.2～1.5倍；其特征在于：所述二维阵列中的一个阵列单元包括一个倒梯形环结构(2)和一个一字形结构(3)，所述倒梯形环结构(2)为一中空的倒梯形，即长底边处于上方、短底边处于下方的梯形，中空部位也为梯形，且中空部位与外轮廓的中心重合；一字形结构(3)与倒梯形环结构(2)的短底边相对且平行；倒梯形环结构(2)和一字形结构(3)均为硅主体，顶面为金属层(12)；多个阵列单元构成二维阵列，二维阵列中同一行的倒梯形环结构(2)的长底边相互连接，同一行的一字形结构(3)相互连接；所述硅基底(1)上还有一个可动框架(4)和多个静电梳齿驱动器(5)；可动框架(4)为矩形框架，套在二维阵列外围，多个静电梳齿驱动器(5)对称地固定安装于可动框架(4)左右两侧的硅基底(1)上，静电梳齿驱动器(5)的固定梳齿与硅基底(1)之间有绝缘层(11)；静电梳齿驱动器(5)的固定梳齿和活动梳齿交错排列；可动框架(4)左右两侧的静电梳齿驱动器(5)分为相同的上、下两组，上组的静电梳齿驱动器(5)固定梳齿连接A锚点(6)，活动梳齿经弹簧与B锚点(7)相连接，活动梳齿与相邻的可动框架(4)外侧相连，上组的各静电梳齿驱动器(5)的移动同步，且移动方向均与可动框架(4)的左右侧边平行；下组的静电梳齿驱动器(5)固定梳齿连接C锚点(8)；活动梳齿经弹簧与B锚点(7)相连接，活动梳齿与相邻的可动框架(4)外侧相连，下组的各静电梳齿驱动器(5)的移动同步、与上组的静电梳齿驱动器(5)移动方向相反；所述二维阵列中同一行相互连接的一字形结构(3)的左右两端的一字形结构(3)的外端连接D锚点(10)，二维阵列中同一行相互连接的倒梯形环结构(2)的左右两端梯形环结构(2)的外端连接可动框架(4)内侧；或者，所述二维阵列中同一行相互连接的一字形结构(3)的左右两端的一字形结构(3)的外端连接可动框架(4)内侧，二维阵列中同一行相互连接的倒梯形环结构(3)的左右两端梯形环结构(3)的外端连接D锚点(10)；所述A锚点(6)、B锚点(7)、C锚点(8)和D锚点(9)与硅基底(1)固定连接，且与硅基底(1)之间有绝缘层(11)。