[发明专利]一种多晶硅背钝化电池背面原子层沉积制备氧化铝薄膜退火合成工艺

摘要

本发明公开了一种多晶硅背钝化电池背面原子层沉积制备氧化铝薄膜退火合成工艺，该工艺具体为多晶硅进炉→炉内升温→多晶硅退火→抽真空→第一次调压→第一次淀积→第二次调压→第二次淀积→抽真空→清洗→抽真空→充氮→出舟。该工艺是将退火工艺与SiN_x工艺合二为一，对于管式PECVD沉积技术可实现一次性实现退火与镀膜的工艺。有效地节约了机台的额外投入，防止了运输过程中产生的二次污染，进而简化工艺流程，减少了人力成本，同时节省了工艺的运行时间，可有效地消除了背面气泡，提高了太阳能电池片的少子寿命。

主权项

一种多晶硅背钝化电池背面原子层沉积制备氧化铝薄膜退火合成工艺，其特征在于工艺为多晶硅进炉→炉内升温→多晶硅退火→抽真空→第一次调压→第一次淀积→第二次调压→第二次淀积→抽真空→清洗→抽真空→充氮→出舟。