[发明专利]一种富锗木薯的栽培方法在审
申请号: | 201610504057.4 | 申请日: | 2016-06-28 |
公开(公告)号: | CN106134719A | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 包宗辉 | 申请(专利权)人: | 包宗辉 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A01C1/08;C05G3/04;C05G3/00 |
代理公司: | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人: | 但玉梅 |
地址: | 537628 广西壮族自治*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明提供一种富锗木薯的栽培方法,属于农业种植技术领域。该栽培方法包括以下步骤:品种选择、整地施肥、套种花生、田间管理和采收。其中,所述整地施肥是在种植之前的3‑5个月,选择阳光充足、土层深厚的砂质土壤地块,将土壤深翻36‑38cm后暴晒,翻耕深度为36‑38cm,暴晒时间为20‑‑35天;然后进行第二次深翻,深翻时在土壤中拌入草木灰和二氧化锗的混合物,再自然放置10‑20天;在种植前5‑20天对土壤施基肥;基肥的施用量为每亩施有机肥1600‑1800kg,磷酸二氢钙2‑4kg,尿素8‑10kg。本发明通过栽培方法和施肥方法的改变,提高木薯中的有机锗含量。 | ||
搜索关键词: | 一种 木薯 栽培 方法 | ||
【主权项】:
一种富锗木薯的栽培方法,其特征在于包括以下步骤:(1)品种选择:选择蛋黄木薯或面包木薯品种;(2)整地施肥:在种植之前的3‑5个月,选择阳光充足、土层深厚的砂质土壤地块,将土壤深翻36‑38cm后暴晒,翻耕深度为36‑38cm,暴晒时间为20‑‑35天;然后进行第二次深翻,深翻时在土壤中拌入草木灰和二氧化锗的混合物,每亩草木灰用量为30‑50kg,二氧化锗用量为1‑2kg,再自然放置10‑20天;在种植前5‑20天对土壤施基肥;基肥的施用量为每亩施有机肥1600‑1800kg,磷酸二氢钙2‑4kg,尿素8‑10kg;(3)种茎的处理与种植:选择老熟、粗壮、无病虫害、芽点完好、切口有乳汁的木薯茎作种茎,按每段2-3个有效芽将木薯种茎截成小段,用消毒液浸泡消毒1‑2小时后,于浸泡当天种完;种植时种茎的间距为70‑80cm;种植时间为每年4月;(4)套种花生:在木薯的行间套种花生,选用早熟的花生品种,播种前剔除已发芽、变色、霉烂的种子,在木薯出苗后播种花生,播种前用质量浓度为0.2%‑0.3%的钼酸铵浸种1‑2小时,播种深度3‑4厘米,播种后盖土;盖土后,每亩用质量浓度为72%的都尔乳剂或质量浓度为48%的拉索乳剂150克,兑水50公斤,均匀喷施于整个种植地的土壤表层;(5)田间管理:在木薯种植期间分多次进行追肥,第一次在种植木薯后45‑50天,每亩施尿素15‑25kg,硫酸钾8‑15kg,氨基酸螯合锗1‑2kg,磷酸二氢钙2‑3kg;第二次在花生收获后3‑10天内,每亩施N、P、K三元复合肥15‑25kg,钾肥3‑5kg;第三次在木薯的薯块膨大期,每亩施尿素15‑25kg,硫酸钾8‑15kg,氨基酸螯合锗1‑2kg,磷酸二氢钙2‑3kg;在薯块膨大期,连喷3次富锗营养液,每隔5天喷洒一次,每次喷湿至所有叶片均被湿透为止;(6)采收:在11月下旬,待木薯的叶片发黄时,及时采收木薯。
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