[发明专利]一种石墨烯导电薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610465005.0 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN106158145A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 何娟 | 申请（专利权）人： | 成都天航智虹企业管理咨询有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B1/04 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法，属于导电薄膜生产技术领域。所述方法包括以下步骤A．沉积镍薄膜层：在玻璃基底上沉积镍薄膜层；B．沉积石墨烯薄膜层：采用CVD法沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为50～90μm；C．清洗、干燥：将步骤B得到的半成品进行降温处理，待温度降至室温后，将石墨烯薄膜层用稀硝酸进行清洗，去除表面镍薄膜层，然后进行干燥即可。本发明具有生产成本低，效率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：A．沉积镍薄膜层在玻璃基底上沉积镍薄膜层；所述沉积镍薄膜层的方法为磁控溅射法，本底真空度：5×10‑5～2×10‑4Pa，衬底温度50～80℃；B．沉积石墨烯薄膜层采用CVD法沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为50～90μm；C．后处理将步骤B得到的半成品进行降温处理，待温度降至室温后，将石墨烯薄膜层用稀硝酸进行清洗，去除表面镍薄膜层，然后进行干燥即得到所述石墨烯导电薄膜。
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