[发明专利]一种发光二极管的外延片及其生长方法在审
| 申请号： | 201610455108.9 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN106057996A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 肖云飞;张华;吕蒙普;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、电流扩展层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层，量子垒层为GaN层，量子阱层包括依次层叠的InxGa1‑xN层、InN层、InyGa1‑yN层，0.4＜x＜0.9，0.1＜y＜0.5。本发明利用在InGaN层中插入InN层，提高In量子点的组成，提供更多的辐射复合中心，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，所述多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子垒层为GaN层，其特征在于，所述量子阱层包括依次层叠的InxGa1‑xN层、InN层、InyGa1‑yN层，0.4＜x＜0.9，0.1＜y＜0.5。
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