[发明专利]一种耐高压工艺设计方法及耐高压芯片在审
| 申请号： | 201610436842.0 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN106092151A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 张文伟 | 申请（专利权）人： | 苏州森特克测控技术有限公司 |
| 主分类号： | G01D5/12 | 分类号： | G01D5/12 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;段晓玲 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种耐高压工艺设计方法及耐高压芯片，其中，耐高压工艺设计方法通过增加外延层的厚度、减少其掺杂浓度来提高芯片的最大耐压。本发明在不显著提高成本的前提下，增加芯片的耐高电压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 工艺 设计 方法 芯片 | ||
【主权项】：
一种耐高压工艺设计方法，其特征在于，所述方法通过增加外延层的厚度提高芯片的最大耐压。
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