[发明专利]一种铸锭过程中去除多晶硅杂质的方法有效
| 申请号： | 201610435587.8 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN106087041B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 张学日;何亮;胡动力 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铸锭过程中去除多晶硅杂质的方法，包括以下步骤：(1)提供铸锭炉，铸锭炉中包括坩埚、加热器和隔热笼，在坩埚中填装硅料，加热使硅料全部熔化形成硅液；(2)调节加热器的温度，使坩埚顶部的温度降低至硅熔点附近，然后保温2‑5h；(3)保温结束后，开启隔热笼并提升隔热笼的高度，以降低坩埚底部温度，使坩埚底部的硅液以第一长晶速度进行长晶，第一长晶速度为2‑3cm/h；(4)长晶1‑2h后，降低隔热笼的高度，使硅液以第二长晶速度继续长晶，第二长晶速度为1‑2cm/h且第二长晶速度小于第一长晶速度，待全部硅液结晶完后，经退火冷却得到多晶硅。本发明提供的方法，在硅料熔化后进行保温，然后进行快速形核结晶，提纯效率高，提纯成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铸锭 过程 去除 多晶 杂质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铸锭过程中去除多晶硅杂质的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供铸锭炉，所述铸锭炉中包括坩埚、加热器和隔热笼，在所述坩埚中填装硅料，加热使所述硅料全部熔化形成硅液；(2)调节所述加热器的温度，使所述坩埚顶部的温度降低至1420℃±5℃，然后保温2‑5h；步骤(2)过程中，所述隔热笼保持闭合状态；(3)保温结束后，开启所述隔热笼并提升所述隔热笼的高度，以降低所述坩埚底部温度，使所述坩埚底部的硅液以第一长晶速度进行长晶，所述第一长晶速度为2‑3cm/h；(4)长晶1‑2h后，降低所述隔热笼的高度，使硅液以第二长晶速度继续长晶，所述第二长晶速度为1‑2cm/h且所述第二长晶速度小于所述第一长晶速度，待全部硅液结晶完后，经退火冷却得到多晶硅。
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