[发明专利]一种侧壁粗化高亮度发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610418650.7 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN105914274A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 张银桥;潘彬 | 申请（专利权）人： | 南昌凯迅光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张静;张文 |
| 地址： | 330038 江西省南昌市红谷滩新*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种侧壁粗化高亮度发光二极管及其制备方法，包括砷化镓永久衬底，在砷化镓永久衬底的上面依次设置有缓冲层、发光层、窗口层和第一电极，缓冲层为n型砷化镓，发光层包括AlAs/AlGaAs反射层、N‑AlGaInP下限制层、AlGaInP有源层、P‑AlGaInP上限制层、P‑GaInP缓冲层和P‑GaP粗化层，P‑GaP粗化层包含P‑GaP正面粗化层和P‑GaP侧壁粗化层两部分，在P‑GaP正面粗化层上设置第一电极，P‑GaP侧壁粗化层呈V型槽结构，窗口层为SiN光学薄膜，在砷化镓永久衬底的下面设有第二电极。粗糙化表面经过钝化膜SiN的包覆，不仅可以较小发光层同封装材料间的折射率差，有助于光的取出，而且可以保护发光区减少漏电异常，提升产品可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 侧壁 粗化高 亮度 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种侧壁粗化高亮度发光二极管，包括砷化镓永久衬底，在砷化镓永久衬底的上面依次设置有缓冲层、发光层、窗口层和第一电极，缓冲层为n型砷化镓，发光层包括AlAs/AlGaAs反射层、N‑AlGaInP下限制层、AlGaInP有源层、P‑AlGaInP上限制层、P‑GaInP缓冲层和P‑GaP粗化层，窗口层为SiN光学薄膜，在砷化镓永久衬底的下面设有第二电极，其特征在于：P‑GaP粗化层包含P‑GaP正面粗化层和P‑GaP侧壁粗化层两部分，在P‑GaP正面粗化层上设有第一电极，P‑GaP侧壁粗化层呈V型槽结构,P‑GaP粗化层的总厚度在7000～10000nm。
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