[发明专利]砷化镓光导开关的引线连接结构以及引线焊接工艺在审
| 申请号： | 201610412978.8 | 申请日： | 2016-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN105957903A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 谌怡;吕璐;潘海峰;王卫;刘毅;叶茂;杨超;夏连胜;张篁;石金水;章林文;邓建军 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院流体物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 廖慧敏 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了砷化镓光导开关的引线连接结构以及引线焊接工艺，解决了现有砷化镓光导开关在引线连接过程中出现尖端焊点、电极与引线的接触电阻较大的问题。本发明包括具有开关电极（2）的砷化镓光导开关本体（4），以及连接在开关电极（2）上的引线（5），其特征在于，所述引线（5）通过热风熔化焊锡膏（6）焊接在开关电极（2）上。本发明具有提高砷化镓光导开关的成品率，降低制作成本，减小电极与引线的接触电阻，使电极与引线连接牢固，不出现尖端焊点等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓光导 开关 引线 连接 结构 以及 焊接 工艺 | ||
【主权项】：
砷化镓光导开关的引线连接结构，包括具有开关电极（2）的砷化镓光导开关本体（4），以及连接在开关电极（2）上的引线（5），其特征在于，所述引线（5）通过焊锡膏（6）连接在开关电极（2）上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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