[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池光电吸收转换层的制备方法

摘要

一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池光电吸收转换层的制备方法，其基本步骤按顺序依次为1）用物理真空溅射沉积薄膜的方法沉积一层铜镓合金薄膜。2）将上述铜镓薄膜在真空蒸发镀膜的硒蒸汽环境中硒化处理。3）在硒化处理后的薄膜上用真空共蒸发法沉积铟和硒元素。4）最后用真空蒸发法在上述薄膜之上沉积少量的镓以调节铜铟镓硒薄膜太阳能电池光电吸收转换层的电学性能。

主权项

一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池光电吸收转换层的制备方法，其特征在于具有以下步骤：a)、用真空溅射的方法在衬底上溅射一层0.2～2.5μm厚的铜镓合金薄膜；b)、将溅射了铜镓合金薄膜的衬底放置于500～600℃的富含硒蒸汽的环境中对铜镓合金薄膜进行硒化处理；c)、将硒化处理后的衬底放置在设有铟蒸发源和硒蒸发源的共蒸发真空腔室内，500～600℃下将铟和硒蒸发沉积到铜镓合金薄膜之上，形成铜铟镓硒化合物半导体薄膜；d)、将衬底以及其上的铜铟镓硒化合物半导体薄膜放置入设置有镓蒸发源的真空蒸发腔室内，在铜铟镓硒化合物半导体薄膜上沉积厚度为5~50纳米的镓。