[发明专利]选择性发射结及隧穿氧化高效N型电池制备方法

摘要

本发明涉及选择性发射结及隧穿氧化高效N型电池制备方法，包括在去除硅片损伤层后进行制绒，在正面形成硼掺杂P+发射结，用激光处理形成局域重掺杂区，在硅片背面生长超薄的隧穿氧化层及掺磷硅薄膜，在P+发射结的表面沉积三氧化二铝层，在硅片正面生长氢化氮化硅钝化减反射层，最后在硅片的正面印刷Ag/Al浆料，背面通过金属化形成Ag或Al的金属化欧姆接触结构，用烘干炉进行低温退火，改善电极接触性能。与现有技术相比，本发明采用正面选择性发射极和背面一层超薄的(<4nm)的隧穿氧化层和磷掺杂硅薄膜，能够极大地减少正面和背面的金属‑半导体表面复合，其最明显的优势在于兼容传统电池制作工艺的基础上能够极大地提升电性能参数。

主权项

选择性发射结及隧穿氧化高效N型电池制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：(1)利用碱溶液去除硅片的损伤层，并对硅片进行制绒；(2)在硅片的正面进行硼掺杂，形成硼掺杂P+发射结；(3)对硼掺杂P+发射结表面进行激光掺杂，形成激光重掺杂P++发射结；(4)去除硅片正面的硼硅玻璃层，对硅片进行边绝缘和背面抛光；(5)在硅片的背面生长一层隧穿氧化层，然后进行磷掺杂，形成掺磷硅薄膜；(6)在硅片的正面沉积三氧化二铝层；(7)在硅片的正面生长氢化氮化硅钝化减反射层；(8)在硅片的正面与背面印刷金属电极或金属浆料，确保电极与硅片间形成良好的接触，即完成电池的制备。