[发明专利]一种AgI‑Ag2S‑P2S5非晶态快离子导体材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种AgI‑Ag₂S‑P₂S₅非晶态快离子导体材料及其制备方法，所述材料通过如下方法制备得到：1)在具有氮气气氛保护的手套箱内，将原料Ag₂S、P₂S₅、AgI按比例进行配料，将原料置于石英玻璃管中，然后将石英玻璃管抽真空融封，保证原料处于真空环境下，然后将其置于摇摆炉中反应得到晶体材料；2)将晶体材料置于球磨罐中，并向球磨罐中加入研磨球和研磨助剂，然后将球磨罐置于行星式球磨机中充分球磨，随后真空干燥得到AgI‑Ag₂S‑P₂S₅非晶态快离子导体材料。本发明所制备的非晶态快离子导体有较高的室温离子电导率(达3.33×10^‑3S/cm)，且稳定性较好。

主权项

一种AgI‑Ag₂S‑P₂S₅非晶态快离子导体材料，其特征在于，所述材料通过如下方法制备得到：1)在具有氮气气氛保护的手套箱内，将原料Ag₂S、P₂S₅、AgI按比例进行配料，并将原料置于石英玻璃管中，然后将石英玻璃管抽真空并利用氢氧焰进行融封，保证原料处于真空环境下，然后将其置于摇摆炉中，经高温反应得到晶体材料；2)将步骤1)中制备的晶体材料置于球磨罐中，并向球磨罐中加入研磨球和研磨助剂，在氮气气氛保护下密封球磨罐，然后将球磨罐置于行星式球磨机中充分球磨，随后将球磨好的样品取出，真空干燥得到AgI‑Ag₂S‑P₂S₅非晶态快离子导体材料。