[发明专利]低介电常数温度稳定型多层电容器瓷介材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种低介电常数温度稳定型多层电容器瓷介材料及其制备方法，其原料组分及百分比含量为：[a wt％(xMO‑ySiO₂)+b wt％CaAlSiO+c wt％CT+d wt％CeO₂]，其中：x＝0.9～2.2，y＝0.9～2.0，为(xMO‑ySiO₂)的摩尔百分比含量；a＝60～90，b＝0～7，C＝8～15，d＝0～0.2，a，b，c，d均是所加原料的质量百分比含量；M为Mg，Zn中的一种或者多种；CaAlSiO为Ca₂Al₂SiO₇或CaAl₂Si₂O₈；CT为CaTiO₃或者TiO₂。采用本发明的瓷介材料制成的温度稳定型多层陶瓷电容器生产工艺简单、制作成本低，具有低介电常数、低介电损耗、高温度稳定性且可调，适合更高频率的应用。

主权项

低介电常数温度稳定型多层电容器瓷介材料，其特征在于：其原料组分及百分比含量为：[a wt％(xMO‑ySiO₂)+b wt％CaAlSiO+c wt％CT+d wt％CeO₂]，其中：x＝0.9～2.2，y＝0.9～2.0，为(xMO‑ySiO₂)的摩尔百分比含量；a＝60～90，b＝0～7，C＝8～15，d＝0～0.2，a，b，c，d均是所加原料的质量百分比含量；M为Mg，Zn中的一种或者多种；CaAlSiO为Ca₂Al₂SiO₇或CaAl₂Si₂O₈；CT为CaTiO₃或者TiO₂。