[发明专利]红外探测器中微桥结构的制备方法

摘要

本发明提供了一种红外探测器中微桥结构的制备方法，通过将桥面电阻区域和支撑区域的敏感材料层和电极层图形进行拆分，分别形成桥面电阻区域和支撑区域的较大尺寸图形和较小尺寸图形，在形成桥面电阻区域的较大尺寸图形时无需使用高精度光刻设备还可以避免大尺寸图形的不均匀性，从而形成高均匀一致性的电极图形，在形成支撑区域的较小尺寸图形时经光刻和刻蚀工艺同时刻蚀敏感材料层和电极层图形，实现了支撑区域较小尺寸图形的零套准误差。

主权项

1.一种红外探测器中微桥结构的制备方法，微桥结构包括桥面电阻区域和位于所述桥面电阻区域两侧的支撑区域，且微桥结构从下往上依次具有下释放保护层、红外敏感材料层、电极层和上释放保护层，其特征在于，包括：步骤01：提供一表面具有牺牲材料的硅衬底，在硅衬底的牺牲材料上依次沉积下释放保护层、红外敏感材料层和电极层；并且，对所述微桥结构的版图图形进行拆分，拆分为位于所述桥面电阻区域的用于图案化电极层的第一图形版图、位于所述支撑区域的用于图案化电极层和红外敏感材料层部分的第二图形版图和用于图案化下释放保护层和上释放保护层部分的第三图形版图；步骤02：采用所述第一图形版图经光刻和刻蚀工艺来图案化位于所述桥面电阻区域的电极层部分，在所述桥面电阻区域的电极层部分中形成第一图形；步骤03：采用所述第二图形版图经光刻和刻蚀工艺来图案化位于所述支撑区域的电极层和红外敏感材料层部分，在所述支撑区域的电极层和红外敏感材料层部分中形成第二图形；步骤04：在完成所述步骤03的硅衬底上沉积上释放保护层；步骤05：采用所述第三图形版图经光刻和刻蚀工艺来图案化位于所述支撑区域的上释放保护层和下释放保护层部分，在所述支撑区域的上释放保护层和下释放保护层部分中形成第三图形。