[发明专利]一种以氧化钽为硬掩模的磁性隧道结的制备方法

摘要

本发明提供了一种以氧化钽为硬掩模的磁性隧道结的制备方法，步骤如下：S1：提供包括MTJ膜层的衬底；S2：在衬底上依次形成钽膜层和氧化钽膜层；S3：图形化转移MTJ图案到氧化钽膜层；S4：刻蚀氧化钽膜层，使图案转移到钽膜层；S5：对氧化钽膜层和钽膜层进行选择性刻蚀，使MTJ图案转移到MTJ膜层；S6：采用灰化工艺除去残留的有机物；S7：以氧化钽为硬掩模，对MTJ膜层进行刻蚀；S8：采用CVD方法生长一层SiN，以保护刻蚀后暴露出来的MTJ边缘；S9：采用CVD方法生长SiO2将刻蚀后的MTJ部分填满；S10：用化学机械抛光方法将SiO2填充后的MTJ表面磨平，直到Ta上的Ta2O5全部磨掉。

主权项

一种以氧化钽为硬掩模的磁性隧道结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供包括磁性隧道结膜层的衬底；步骤S2：在所述衬底上依次形成作为导电通道的钽膜层和作为硬掩模的氧化钽膜层；步骤S3：图形化转移磁性隧道结图案到所述氧化钽膜层；步骤S4：刻蚀所述氧化钽膜层，使所述磁性隧道结图案转移到所述钽膜层；步骤S5：对所述氧化钽膜层和所述钽膜层进行选择性刻蚀，使所述磁性隧道结图案转移到所述磁性隧道结膜层；步骤S6：采用氧气灰化工艺除去残留的有机物；步骤S7：以所述氧化钽为硬掩模，对所述磁性隧道结膜层进行刻蚀，以完成对所述磁性隧道结的图形化制作；步骤S8：生长一层SiN以保护刻蚀后暴露出来的磁性隧道结边缘；步骤S9：生长SiO2将刻蚀后的磁性隧道结部分填满；步骤S10：用化学机械抛光的方法将SiO2填充后的磁性隧道结表面磨平直到所述钽膜层上的氧化钽全部磨掉。