[发明专利]一种在FTO上原位水热生长Cu3BiS3敏化的TiO2氧化物薄膜、制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201610344545.3 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN105931848B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 谢腾峰;邱庆庆;王德军 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人： | 刘世纯,王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种在FTO上原位水热生长Cu3BiS3敏化的TiO2氧化物薄膜、制备方法及其在制备太阳能电池中的应用，属于太阳能电池技术领域。其是先通过水热反应在FTO上生长0.5～1.5μm的TiO2阵列得到FTO/TiO2薄膜，再对TiO2薄膜进行钝化处理；然后配制用于水热反应的Cu3BiS3敏化剂溶液，将FTO/TiO2薄膜的TiO2薄膜面朝下浸入到配制好的Cu3BiS3敏化剂溶液中进行水热反应，反应结束待反应体系冷却至室温后将FTO/TiO2薄膜取出，先用水冲洗干净，再用乙醇冲洗，然后氮气吹干，从而在FTO上原位水热生长Cu3BiS3敏化的TiO2氧化物薄膜。此方法制备Cu3BiS3和敏化FTO/TiO2薄膜样品同时进行，制备工艺简单，易于操作，且使Cu3BiS3在氧化物TiO2薄膜样品上的覆盖量更大，能充分吸收光产生光生电荷，使光电转化效率提高，适用于敏化类太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fto 原位 生长 cu sub bis tio 氧化物 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种在FTO上原位水热生长Cu3BiS3敏化的TiO2氧化物薄膜的方法，其特征在于：先通过水热反应在FTO上生长0.5～1.5μm的TiO2阵列得到FTO/TiO2薄膜，再对TiO2薄膜进行钝化处理；然后配制用于水热反应的Cu3BiS3敏化剂溶液，将FTO/TiO2薄膜的TiO2薄膜面朝下浸入到配制好的Cu3BiS3敏化剂溶液中进行水热反应，反应结束待反应体系冷却至室温后将FTO/TiO2薄膜取出，先用水冲洗干净，再用乙醇冲洗，然后氮气吹干，从而在FTO上原位水热生长Cu3BiS3敏化的TiO2氧化物薄膜；其中，水热反应的Cu3BiS3敏化剂溶液为CuCl2、Bi(NO3)3、硫脲和谷胱甘肽的水和乙醇溶液，水和乙醇的体积比为1：2～4，混合溶液中CuCl2的浓度为0.075～0.125mmol/L，Bi(NO3)3的浓度为0.0375～0.0625mmol/L，硫脲的浓度为0.15～0.25mmol/L，谷胱甘肽的浓度为0.12～0.2mmol/L，其中CuCl2、Bi(NO3)3和硫脲间的用量摩尔比为2：1：4。
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