[发明专利]软磁纳米线阵列的基片集成波导H面自偏置隔离器有效
申请号: | 201610341781.X | 申请日: | 2016-05-23 |
公开(公告)号: | CN105914439B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 韩满贵;涂宽 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/36 | 分类号: | H01P1/36 |
代理公司: | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人: | 刘勋 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 软磁纳米线阵列的基片集成波导H面自偏置隔离器,涉及微波器件,本发明包括SIW传输线和置于传输线内的4片有序软磁纳米线阵列条,SIW传输线包括介质基板,介质基板材料的介电常数介于8‑16之间,介质基板的上表面和下表面分别设有金属层,设置于介质基板内的两排平行的导电通孔构成波导的两个通孔边;有序软磁纳米线阵列条为长条状,设置于基板与表面金属层之间,且贴附于上下表面金属层,有序软磁纳米线阵列条的长边与波导的两个通孔边平行,靠近波导一侧的两片有序软磁纳米线阵列条的自发磁化方向为向上,靠近波导另一侧的两片有序软磁纳米线阵列条的自发磁化方向为向下。本发明体积小,结构简单,加工容易,易与平面微波电路集成。 | ||
搜索关键词: | 纳米 阵列 集成 波导 偏置 隔离器 | ||
【主权项】:
1.软磁纳米线阵列的基片集成波导H面自偏置隔离器,其特征在于,包括SIW传输线和置于传输线内的4片有序软磁纳米线阵列条,SIW传输线包括介质基板,介质基板材料的介电常数介于8‑16之间,介质基板的上表面和下表面分别设有金属层,设置于介质基板内的两排平行的导电通孔构成波导的两个通孔边;有序软磁纳米线阵列条为长条状,设置于基板与表面金属层之间,且贴附于上下表面金属层,有序软磁纳米线阵列条的长边与波导的两个通孔边平行,靠近波导一侧通孔边的两片有序软磁纳米线阵列条的自发磁化方向为向上,靠近波导另一侧通孔边的两片有序软磁纳米线阵列条的自发磁化方向为向下;有序软磁纳米线阵列条分为两组,每组两条,两个组为左右对称设置,每一组中的有序软磁纳米线阵列条上下对称设置。
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