[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610339869.8 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN105914272B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 陈铭胜;武良文 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 241000 安徽省芜*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于光电领域。外延片由基板至表层包括第一缓冲层、石墨烯层、第二缓冲层和外延结构层；所述外延结构层从第二缓冲层至表层由N型半导体层、多重量子阱层、P型电子阻挡层和P型半导体层所构成。与传统氮化镓基外延片结构相比，加入石墨烯层可实现利用机械方式将氮化镓基外延结构层从基板上剥离，无须采用激光设备，更可提高剥离良率；与其它利用转移方式，将石墨烯层置于基板上的技术相比，本发明使用的石墨烯层和基板之间有缓冲层连接，无石墨烯层和基板附着性不佳的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，其特征在于：所述外延片由基板至表层包括第一缓冲层、石墨烯层、第二缓冲层和外延结构层；所述外延结构层从第二缓冲层至表层由N型半导体层、多重量子阱层、P型电子阻挡层和P型半导体层所构成；所述基板为蓝宝石基板；所述第一缓冲层为SiCN，所述SiCN的成分是SiaCbNc,其中a>0，b>0，c>0；所述石墨烯层厚度为0.3‑10nm；所述第二缓冲层为SiCN或AlInGaN，所述SiCN的成分是SiaCbNc,其中a>0，b>0，c>0；所述AlInGaN成分是AlxInyGa1‑x‑yN，其中0≤x,y≤1，x+y≤1。
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