[发明专利]一种魔芋高产栽培方法在审
申请号: | 201610326172.7 | 申请日: | 2016-05-18 |
公开(公告)号: | CN107396710A | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 吴光强 | 申请(专利权)人: | 吴光强 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A01B79/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省德阳市什邡*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种魔芋高产栽培方法,它有以下措施,填肥闷地、种子处理、新栽培方式、合理施肥与除草;填肥闷地耕地起垄,在垄上打穴,穴深30~50cm,穴大直径为95cm,在穴内填肥,用薄膜将垄覆盖后膜边用土压严闷地30天以后揭开薄膜晾地七天即种植魔芋;种子处理将魔芋种剔除坏的后按大小分类,晾种15~30天,临种前用多菌灵500倍水稀释液浸泡1分钟拎出晾干即播种;栽培方法每亩打穴2500~3000穴,栽植深6~9cm;施肥和除草施用一次微生物菌肥;未出苗期间喷一次除草剂,在魔芋入种后即在垄上打杀菌剂,每15天一次,解决魔芋种植的病虫害防治问题和合理的除草施肥,使魔芋种植获得高产。 | ||
搜索关键词: | 一种 魔芋 高产 栽培 方法 | ||
【主权项】:
一种魔芋高产栽培方法,其特征在于:它有以下四方面高产措施,一、填肥闷地,二、种子处理,三、新栽培方式,四、合理施肥与除草;具体在填肥闷地方面:耕地起垄,在垄上打穴,穴深30~50cm,穴大直径为95cm,在穴内填肥,用薄膜将垄覆盖后膜边用土压严闷地30天以后揭开薄膜晾地七天即可种植魔芋;种子的处理方法:将魔芋种剔除坏的后按大小分类,分别放在通风处晾种15~30天,最少7天,临栽种前用多菌灵500倍水稀释液浸泡1分钟拎出晾干即播种;栽培方法:根据地质情况每亩打穴2500~3000穴,每穴内播种3~5个,栽植深入以种植者手食指为标尺,即6~9cm;施肥和除草方面:除上述的穴内植肥外,还在出苗前在魔芋上施用一次微生物菌肥;在播种后的未出苗期间遍喷一次旱地用除草剂,在出苗后不能用;另外在魔芋入种后即在垄上打杀菌剂,每15天一次,不管有病无病到时即打。
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