[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种异质结太阳能电池，其包括晶体硅片，依次位于晶体硅片的一侧上的第一选择层、第一透明导电层、及第一电极，以及位于另一侧的第二电极；晶体硅片为N型，第一选择层为空穴选择性接触层，其功函数≥5.3eV；或，晶体硅片为P型，第一选择层为电子选择性接触层，其功函数≤3.9eV。上述异质结太阳能电池，由于采用第一选择层在晶体硅片近表面形成PN结，代替非晶硅‑晶体硅异质结结构，从而取消了非晶硅，因此也避免了非晶硅造成的缺陷。另外，满足第一选择层的材料众多，选择多。本发明还公开了一种电池的制备方法。

主权项

一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：晶体硅片，依次位于所述晶体硅片的一侧上的第一选择层、第一透明导电层、及第一电极，以及依次位于所述晶体硅片的另一侧上的第二选择层、及第二电极；其中，所述晶体硅片为N型晶体硅片，所述第一选择层为空穴选择性接触层，所述第一选择层的功函数大于等于5.3eV；所述第二选择层为电子选择性接触层；或，所述晶体硅片为P型晶体硅片，所述第一选择层为电子选择性接触层，所述第一选择层的功函数小于等于3.9eV；所述第二选择层为空穴选择性接触层。