[发明专利]基于标准CMOS工艺的耐高压线性稳压器

摘要

本发明公开了一种基于标准CMOS工艺的耐压线性稳压器，应用于电源系统中。本发明包括预稳压器，根据输入电压，产生稳定电压，为带隙放大器供电；带隙放大器，根据反馈信号，输出驱动信号；驱动器，当接收到驱动信号，根据输入电压，产生输出电压；反馈单元，根据输出电压，输出反馈信号；驱动器包括N个标准CMOS工艺中的PMOS晶体管；N个PMOS晶体管依次串联连接，带隙放大器对各个PMOS晶体管的栅极电压进行驱动控制，将输入电压均匀地分布到N个PMOS晶体管的源漏两端，每个PMOS晶体管所需承担的电压不至于让其损坏，N为大于1的正整数。本发明将7805等专用线性稳压芯片的功能在标准CMOS上实现，降低整机成本。

主权项

一种基于标准CMOS工艺的耐高压线性稳压器，包括：预稳压器，根据输入电压，产生稳定电压，为带隙放大器供电；带隙放大器，根据反馈信号，输出驱动信号；驱动器，当接收到所述驱动信号，根据输入电压，产生输出电压；反馈单元，根据所述输出电压，输出所述反馈信号；所述驱动器包括N个标准CMOS工艺中的PMOS晶体管；N个PMOS晶体管依次串联连接，带隙放大器对各个PMOS晶体管的栅极电压进行驱动控制，将输入电压均匀地分布到N个PMOS晶体管的源漏两端，每个PMOS晶体管所需承担的电压不至于让其损坏，N为大于1的正整数；所述线性稳压器还包括栅极偏置电路；所述栅极偏置电路，根据带隙放大器的驱动信号，为N个PMOS晶体管的栅极提供偏置电压；其特征在于，所述栅极偏置电路包括PMOS晶体管MP0、N‑1个稳压管、电流源I1和N个NMOS晶体管；串联连接的N个PMOS晶体管中的第一个PMOS晶体管与PMOS晶体管MP0构成电流镜像偏置；N个PMOS晶体管中相连的两个PMOS晶体管的栅极之间分别串联一个稳压管，第N‑1个稳压管的阳极与第N个PMOS晶体管的栅极连接，第N‑1个稳压管的阴极与第N‑1个PMOS晶体管的栅极连接；电流源I1为N‑1个稳压管提供偏置电流；N个NMOS晶体管依次串联连接，其中第一个NMOS晶体管的漏极与所述第一个PMOS晶体管的漏极和其栅极同时连接；带隙放大器的驱动信号输入至串联的N个NMOS晶体管的第N个NMOS晶体管的栅极。