[发明专利]一种碳纳米管-SiC薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610281612.1 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105970185A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 陈照峰;潘影;汪洋;余盛杰 | 申请（专利权）人： | 太仓派欧技术咨询服务有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215400 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳纳米管‑SiC薄膜的制备方法，包括以下步骤：将过渡金属衬底和碳纳米管粉体置于真空反应系统中，碳纳米管粉末颗粒尺寸为10纳米‑20纳米，采用氩气分别作为碳纳米管粉体载气体和三氯甲基硅烷载气体，氢气作为反应气体，在除去真空腔内氧气的情况下，维持室内真空度1‑1000Pa，并升温至800‑1200℃，将氢气注入真空腔中，流量为100‑500mL/min，分别将载有碳纳米管粉末和三氯甲基硅烷的氩气体通入真空腔中，流量分别为10‑100ml/min和100‑500ml/min，碳纳米管粉末供给速度为10‑100mg/min，同时保持氢气流量，保温1‑5h，降温速率为5‑20℃/min。本发明有益效果主要在于提高了SiC薄膜的高温抗氧化，抗烧蚀性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 sic 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管-SiC薄膜的制备方法，其特征在于将过渡金属衬底和碳纳米管粉末置于真空反应系统中，碳纳米管粉末颗粒尺寸为10纳米-20纳米，采用氩气分别作为碳纳米管粉末载气体和三氯甲基硅烷载气体，氢气作为反应气体，在除去真空腔内氧气的情况下，维持室内真空度1-1000Pa，并升温至800-1200℃，将氢气注入真空腔中，流量为100-500mL/min，分别将载有碳纳米管粉末和三氯甲基硅烷的氩气体通入真空腔中，流量分别为10-100ml/min和100-500ml/min，碳纳米管粉末供给速度为10-100mg/min，同时保持氢气流量，保温1-5h，降温速率为5-20℃/min。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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