[发明专利]加宽输入输出内存的硅穿孔菊炼测试装置有效
申请号: | 201610277592.0 | 申请日: | 2016-04-29 |
公开(公告)号: | CN107331630B | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 叶志晖 | 申请(专利权)人: | 力成科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种加宽输入输出内存的硅穿孔菊炼测试装置,包含一测试头以及一转换接口。转换接口包含信号传输板与插座板。插座板具有多个第一数据接点、多个第二数据接点与多个驱动接点,还具有多个Y形连接第一数据接点与第二数据接点的分享线路,以信号传输板电性连接至测试头的对应输入输出接脚。待测硅穿孔装置包含多个信道,当该待测硅穿孔装置装载于插座板上,信道依序地以菊炼结构串联成组,菊炼结构的串联启始点包含第一数据接点、第二数据接点与驱动接点。因此,本发明利用加宽输入输出内存的硅穿孔菊炼测试装置,可增加测试机台的待测组件数量。 | ||
搜索关键词: | 加宽 输入输出 内存 穿孔 测试 装置 | ||
【主权项】:
1.一种加宽输入输出内存的硅穿孔菊炼测试装置,其特征在于,用以测试至少一待测硅穿孔装置,该待测硅穿孔装置包括多个第一通道,该硅穿孔菊炼测试装置包含:一测试头,具有多个输入输出接脚与至少一第一驱动接脚;以及一转换接口,包含一信号传输板与一插座板,该信号传输板具有多个输入输出线路与至少一第一驱动线路,该插座板具有多个第一数据接点、多个第二数据接点与至少一第一驱动接点,该插座板还具有多个分享线路,其Y形连接该多个第一数据接点与该多个第二数据接点,并且该多个输入输出线路连接对应的输入输出接脚与对应的该多个分享线路,该第一驱动线路连接对应的该第一驱动接脚与对应的该第一驱动接点;其中,该插座板还具有多个第一菊炼结构,用以串接该多个第一通道的相同脚位,该多个第一菊炼结构分组对应地断离于该多个第一数据接点、该多个第二数据接点与该第一驱动接点之间;其中,当该待测硅穿孔装置装载于该插座板上,该多个第一通道依序地以该多个第一菊炼结构串联成组,该多个第一菊炼结构的串联启始点包含该多个第一数据接点、该多个第二数据接点与该第一驱动接点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造