[发明专利]一种共溅射法制备CIGS薄膜太阳能电池吸收层的方法

摘要

本发明属于一种共溅射法制备CIGS薄膜太阳能电池吸收层的方法，包括以下步骤①提供基底，采用铜铟镓硒靶进行射频溅射，同时采用铟靶进行直流溅射，共溅射制备得到铜铟镓硒预制层；②将铜铟镓硒预制层放入快速退火炉中，氮气保护下分两次硒化，自然冷却至室温，即可得到CIGS薄膜太阳能电池吸收层。本发明采用CIGS标准四元靶进行溅射的技术途径有利于规模工业化生产，通过本发明可有效地解决标准CIGS四元靶在溅射过程中造成的铟元素的损失，可得到符合化学计量比的CIGS吸收层材料。通过两步升温法对所制备的CIGS吸收层进行退火处理，可进一步增强其硒化的完全度和结晶性，可得到表面均匀、厚度一致的高质量CIGS。

主权项

一种共溅射法制备CIGS薄膜太阳能电池吸收层的方法，其特征在于，包括以下步骤：①提供基底，采用铜铟镓硒靶进行射频溅射，同时采用铟靶进行直流溅射，共溅射制备得到铜铟镓硒预制层；共溅射的工艺条件为：本体真空度达到7~8×10‑4Pa以下，工作压强为0.5~0.6 Pa，共溅射时间为110‑120 min，铜铟镓硒靶的射频溅射功率为110 W，铟靶直流溅射的功率为70 W；②将铜铟镓硒预制层放入快速退火炉中，80~90s内升温至245~255℃，然后采用固态硒源在245~255℃下硒化20~30 min，然后在20~30s内升温至545~500℃，在545~500℃下二次硒化15~20 min，自然冷却至室温，即可得到CIGS薄膜太阳能电池吸收层。