[发明专利]一种制备大面积亚波长级纳米图案的方法在审
申请号: | 201610262162.1 | 申请日: | 2016-04-25 |
公开(公告)号: | CN105929633A | 公开(公告)日: | 2016-09-07 |
发明(设计)人: | 霍峰蔚;吴进;邹冰花;张所瀛 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50;B82Y30/00 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 徐冬涛;李晓峰 |
地址: | 211816 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备大面积亚波长级纳米图案的方法,利用表面具有半球形阵列的弹性掩模版进行简单的光刻,得到纳米图案。本方法具有操作简单,效率高,生产成本低廉,过程设备简单,容易放大等特点,且制备的纳米图案兼具大面积和亚波长级特征尺寸的优势,在信息,能源,生物技术,制造等领域有很大的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 大面积 波长 纳米 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种表面具有半球形阵列的弹性掩模版,其特征在于该弹性掩模版采用以下方法步骤制备:(1)采用镀有金属膜且尖端开口的PDMS掩模版,对涂有正光刻胶的基底进行曝光,显影后得到表面具有凹进去半球形阵列的光刻胶;(2)用步骤(1)制备的表面具有凹进去半球形阵列的光刻胶复制出表面具有半球形阵列的弹性掩模版。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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