[发明专利]一种制备大面积亚波长级纳米图案的方法在审

专利信息
申请号: 201610262162.1 申请日: 2016-04-25
公开(公告)号: CN105929633A 公开(公告)日: 2016-09-07
发明(设计)人: 霍峰蔚;吴进;邹冰花;张所瀛 申请(专利权)人: 南京工业大学
主分类号: G03F1/50 分类号: G03F1/50;B82Y30/00
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 徐冬涛;李晓峰
地址: 211816 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种制备大面积亚波长级纳米图案的方法,利用表面具有半球形阵列的弹性掩模版进行简单的光刻,得到纳米图案。本方法具有操作简单,效率高,生产成本低廉,过程设备简单,容易放大等特点,且制备的纳米图案兼具大面积和亚波长级特征尺寸的优势,在信息,能源,生物技术,制造等领域有很大的应用前景。
搜索关键词: 一种 制备 大面积 波长 纳米 图案 方法
【主权项】:
一种表面具有半球形阵列的弹性掩模版,其特征在于该弹性掩模版采用以下方法步骤制备:(1)采用镀有金属膜且尖端开口的PDMS掩模版,对涂有正光刻胶的基底进行曝光,显影后得到表面具有凹进去半球形阵列的光刻胶;(2)用步骤(1)制备的表面具有凹进去半球形阵列的光刻胶复制出表面具有半球形阵列的弹性掩模版。
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