[发明专利]一种充电电容和pump电路有效
| 申请号： | 201610256933.6 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN105790573B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 胡俊;陈晓璐;刘铭 | 申请（专利权）人： | 合肥格易集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07;G11C16/06;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种充电电容和pump电路，充电电容应用于存储器的pump电路，充电电容的第一端为存储器内一浮栅MOS管中浮栅控制极的引出端，充电电容的第二端为浮栅MOS管中P阱接触点、源极、控制栅极相连后的公共端，充电电容的电源端为浮栅MOS管中N阱的引出端。本发明实施例的充电电容不仅可以耐高压，且单位面积的等效电容大，可以实现快速高效地充电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 充电 电容 pump 电路 | ||
【主权项】：
1.一种充电电容，应用于存储器的pump电路，其特征在于，所述充电电容的第一端为所述存储器内一浮栅MOS管中浮栅控制极的引出端，所述充电电容的第二端为所述浮栅MOS管中P阱接触点、源极、控制栅极相连后的公共端，所述充电电容的电源端为所述浮栅MOS管中N阱的引出端；其中，在所述充电电容上电后，所述浮栅控制极、所述控制栅极以及所述浮栅控制极和所述控制栅极之间的氧化物层形成第一电容；当所述充电电容的第一端与所述充电电容的第二端之间的电压大于所述浮栅MOS管的阈值电压时，所述浮栅控制极和所述浮栅MOS管中P阱形成反型层，所述反型层与所述浮栅控制极和所述P阱之间的氧化物层形成与所述第一电容并联的第二电容。
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