[发明专利]一种精确测量超薄四面非晶体碳膜膜厚的方法

摘要

本发明涉及一种精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚的方法，该方法包括以下步骤：（1）将石英片背面处理成粗糙面，并测量该衬底的光学常数；（2）在石英衬底外，再新增加硅衬底，在同一炉中两种衬底按常规方法制备膜厚小于50nm的超薄ta‑C膜；（3）测量超薄ta‑C膜的透过率T；（4）测量超薄ta‑C 膜的椭偏参数 j 与 Δ；（5）将透过率T经数据格式转换后，导入椭偏仪，并与椭偏参数 j 及 Δ进行拟合；（6）以硅衬底层、超薄ta‑C膜层及表面粗糙层构建数学物理模型，并通过Wvase32拟合软件获得超薄ta‑C膜的膜厚即可。本发明可以快速、方便、准确的测量超薄ta‑C 碳膜，提高表征精度，制备简单。

主权项

一种精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚的方法，包括以下步骤：（1）将石英片背面用喷砂机喷砂处理成粗糙面，或用尺寸与石英片大小相同的带磨砂的透明胶带粘贴在石英片背面，并用椭偏仪测量该衬底的光学常数；（2）在所述步骤⑴所得的石英衬底外，再新增加硅衬底，在同一炉中两种衬底按常规方法制备膜厚小于50nm的超薄ta‑C膜；（3）利用分光光度计测量所述超薄ta‑C膜的透过率T；（4）启动椭偏仪，将表面沉积超薄ta‑C膜的硅衬底加载在样品台上，测量超薄ta‑C 膜的椭偏参数 j 与 Δ；（5）将所述透过率T经数据格式转换后，导入所述椭偏仪，并与所述椭偏参数 j 及Δ进行拟合；（6）以Si_jaw模型表示的硅衬底层、Genosc函数模型表示的超薄ta‑C膜层及Bruggeman有效介质近似理论处理的表面粗糙层构建数学物理模型，并通过Wvase32拟合软件获得超薄ta‑C膜的膜厚即可。