[发明专利]硫化锡纳米管的制备方法在审
| 申请号： | 201610248653.0 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107304066A | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 陈友虎;秦禄昌;田天;王元斐;李云朋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硫化锡纳米管的制备方法，包括利用铋纳米颗粒作为催化剂，以硫化亚锡和二硫化锡等作为硫、锡源，在硅片、二氧化硅片或氧化铝等基底上生长硫化锡纳米管。本发明提供了一种可以在目标基底上直接生长形成硫化锡纳米管的方法，其操作简单，可控性好，所获硫化锡纳米管尺寸均匀可控，分散度高，可直接用于半导体器件的应用研究。 | ||
| 搜索关键词： | 硫化 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硫化锡纳米管的制备方法，其特征在于包括：（1）将负载有铋纳米颗粒的基底置于化学气相沉积设备反应区内的第二温区，同时将锡源和硫源置于化学气相沉积设备反应区内的第一温区，其中第一温区和第二温区沿所述化学气相沉积设备内载气的流动方向依次分布；（2）除去所述化学气相沉积设备反应区内的氧气，再将第一温区和第二温区的温度分别提升至500℃~1000℃和70 ℃~350 ℃，并通入载气，在保护性气氛中反应，形成硫化锡纳米管。
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