[发明专利]基于铌酸锂单晶薄膜的宽带行波电光调制器在审
| 申请号： | 201610241979.0 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107305297A | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 李萍 | 申请（专利权）人： | 天津领芯科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天津市北辰区经济技*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于铌酸锂薄膜的宽带行波电光调制器，该调制器包括基底、铌酸锂薄膜、光学波导、缓冲层以及金属电极。所属基底采用石英晶片；所述铌酸锂薄膜具有单晶结构且厚度为4至10微米；所述光学波导采用钛扩散波导或退火质子交换波导；所述缓冲层采用氧化硅或氧化铝薄膜；所述金属电极采用行波电极结构，金属电极的火线与地线对称地位于光学波导的两侧。本发明的有益技术效果在于可同时实现铌酸锂电光调制器的折射率匹配与阻抗匹配，提高器件的工作带宽，且未增加器件的半波电压，可有效地降低铌酸锂宽带电光调制器的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铌酸锂单晶 薄膜 宽带 行波 电光 调制器 | ||
【主权项】：
基于铌酸锂单晶薄膜的宽带行波电光调制器，包括：基底1、铌酸锂薄膜2、光学波导3、缓冲层4、以及金属电极5，其特征在于，所述基底1采用石英晶片；所述铌酸锂薄膜2具有单晶结构且厚度为4至10微米；所述光学波导3采用钛扩散波导或退火质子交换波导；所述缓冲层4采用氧化硅或氧化铝薄膜；所述金属电极5采用行波电极结构。
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