[发明专利]用于封装体上输入/输出架构的分布式静电放电保护有效
申请号: | 201610238508.4 | 申请日: | 2011-12-22 |
公开(公告)号: | CN105870118B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | T.W.梅林格;M.E.格里菲夫;G.巴拉姆鲁甘;T.P.托马斯 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李啸;付曼 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于封装体上输入/输出架构的分布式静电放电保护。一种封装体上接口。第一组单端发射器电路在第一晶片上。第一组单端接收器电路在第二晶片上。接收器电路具有端接电路,其具有反相器和电阻反馈元件。多个导线使第一组发射器电路与第一组接收器电路耦合。多个导线的长度匹配。 | ||
搜索关键词: | 封装体 静电放电保护 发射器电路 接收器电路 输入/输出 晶片 架构 单端接收器 长度匹配 电阻反馈 端接电路 耦合 反相器 上接口 单端 电路 | ||
【主权项】:
1.一种半导体芯片,包括:半导体芯片上的电路,用于驱动从所述半导体芯片向外部的信号,所述电路包括:a) 第一驱动器片,具有耦合到所述半导体芯片的输出板的第一串联电阻;b) 第二驱动器片,具有耦合到所述输出板的第二串联电阻,所述第二串联电阻不同于所述第一串联电阻;c) 静电放电(ESD)保护二极管,直接耦合到所述输出板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的