[发明专利]用于封装体上输入/输出架构的分布式静电放电保护有效

专利信息
申请号: 201610238508.4 申请日: 2011-12-22
公开(公告)号: CN105870118B 公开(公告)日: 2019-11-08
发明(设计)人: T.W.梅林格;M.E.格里菲夫;G.巴拉姆鲁甘;T.P.托马斯 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李啸;付曼
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于封装体上输入/输出架构的分布式静电放电保护。一种封装体上接口。第一组单端发射器电路在第一晶片上。第一组单端接收器电路在第二晶片上。接收器电路具有端接电路,其具有反相器和电阻反馈元件。多个导线使第一组发射器电路与第一组接收器电路耦合。多个导线的长度匹配。
搜索关键词: 封装体 静电放电保护 发射器电路 接收器电路 输入/输出 晶片 架构 单端接收器 长度匹配 电阻反馈 端接电路 耦合 反相器 上接口 单端 电路
【主权项】:
1.一种半导体芯片,包括:半导体芯片上的电路,用于驱动从所述半导体芯片向外部的信号,所述电路包括:a) 第一驱动器片,具有耦合到所述半导体芯片的输出板的第一串联电阻;b) 第二驱动器片,具有耦合到所述输出板的第二串联电阻,所述第二串联电阻不同于所述第一串联电阻;c) 静电放电(ESD)保护二极管,直接耦合到所述输出板。
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