[发明专利]利用金刚石线和金刚石砂浆同时切割SiC单晶的方法

摘要

一种利用金刚石线和金刚石砂浆同时切割6英寸及以上尺寸SiC单晶的方法，包括：采用浸有金刚石砂浆的金刚石线对所述SiC单晶进行切割。本发明所述方法中，金刚石线上的金刚石颗粒被电镀在切割线上，不会随金刚石线的高速运动被甩出，实现了与SiC晶体的始终接触，保证了SiC切割片的面形质量；同时，金刚石砂浆中的金刚石磨粒被夹嵌在所述金刚石线表面固结金刚石颗粒之间的空隙处，并随金刚石线被高速带入所述SiC晶体中，SiC晶体受到金刚石线、金刚石砂浆两方面的切削，从而提高了切割效率。

主权项

1.一种利用金刚石线和金刚石砂浆同时切割6英寸及以上SiC单晶的方法，其特征在于，该方法包括：采用浸有金刚石砂浆的金刚石线对所述SiC单晶进行切割；所述方法包括具体步骤如下：(1)金刚石砂浆配制：将金刚石粉、切割液混合成金刚石砂浆；其中，所述金刚石粉为金刚石磨粒；(2)将金刚石线绕制在多线切割机上，形成金刚石线网；(3)SiC单晶放置：将待切割SiC单晶放置在工作台上并固定，移动调整工作台，使所述SiC单晶顶部与所述金刚石线网接触；(4)晶体切割：启动多线切割机，金刚石砂浆喷向金刚石线，使浸有金刚石砂浆的金刚石线对所述SiC单晶切割成目标尺寸的晶片；被切割后的SiC单晶总厚度变化(TTV)在15～30μm之间，弯曲度(Bow)在20～40μm之间，翘曲度(Warp)在30～60μm之间，粗糙度在0.5～0.9μm之间；被切割后的SiC单晶片的厚度为600‑900μm；所述金刚石线的线径为150μm～400μm，金刚石线表面的金刚石颗粒度为10～50μm，排布密度为5～10个/mm；所述金刚石砂浆中金刚石磨粒的直径范围为1～20μm；所述金刚石线的供线速度为20～70m/min；金刚石砂浆喷向金刚石线的流量为75L/min～150L/min。