[发明专利]PMR介质中用于SNR改善的TBFECO在审
申请号: | 201610205799.7 | 申请日: | 2016-03-31 |
公开(公告)号: | CN106024029A | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | E·吉尔吉斯;P·玛尼;C·帕普索;M·德赛;R·阿查亚 | 申请(专利权)人: | 西部数据传媒公司 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐东升;赵蓉民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了PMR介质中用于SNR改善的TBFECO。本公开总体涉及用于在HDD中使用的PMR介质。PMR介质具有设置在加盖结构内的非晶铁磁材料层。非晶铁磁材料层降低噪声。非晶铁磁材料层可以被设置在加盖层之间或在加盖层的顶部。此外,非晶铁磁材料层可以包含Tb。 | ||
搜索关键词: | pmr 介质 用于 snr 改善 tbfeco | ||
【主权项】:
一种磁性记录介质,其包括:衬底;设置在所述衬底上方的多个磁性层;设置在所述多个磁性层上方的加盖层结构,所述加盖层结构包括至少一个加盖层和非晶铁磁材料层;以及设置在所述加盖层结构上的碳外涂层。
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