[发明专利]一种公石松组织培养方法有效

专利信息
申请号: 201610205226.4 申请日: 2016-04-05
公开(公告)号: CN105766647B 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 林成辉;廖琳琳 申请(专利权)人: 福建农林大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350002 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供一种公石松组织培养方法,以野生公石松为外植体建立无菌体系,经过诱导培养和继代培养。此技术体系克服肉质茎内生菌多,容易变色困难。继代培养阶段形成的种苗粗壮,根、茎、叶分化较完整,根部活力强。种植时发根快,成活率高(成活率在90%以上),生长快、成色好。该发明实现了无菌条件下的种苗快繁,从而解决了公石松自然繁殖力差所导致的自然界野生资源匮乏的问题。此技术体系的建立让这具有悠久应用历史、药效确切的中草药更好地开发利用,填补了公石松组织培养的空白。
搜索关键词: 一种 公石 组织培养 方法
【主权项】:
一种公石松组织培养方法,其特征在于:所述方法包括如下:(1)以野生公石松为外植体经过2‑3天净沙培植,去除根叶的茎段,经表面清洗后,放在 1wt.% 次氯酸钠溶液浸泡 15 分钟,用自来水冲洗干净,放入75%v/v 酒精中灭菌 30 秒,再以0.1wt.% 升汞灭菌 7 ~ 10 分钟,用无菌水冲洗 4 ~ 5 次;(2)在无菌条件下,将茎切成 l.5cm长茎节段,接种到诱导培养基上,每天连续光照 8 h ,光照强度1500 ~2 000 lx,培养温度23±1 ℃,培养150天;(3)继代培养;诱导培养基上形成的茎芽在无菌条件下移接到生长培养基,每天连续光照12h,光照强度2000 ~ 2500 lx,培养温度25±1℃,培养130天,形成具有比较完整根系和茎、叶;所述的诱导培养基为:MS基本培养基中附加IBA 1.0m g/L、NAA 0.5m g/L、KT 0.1m g/L、白糖10g/L、土豆10 g/L;所述生长培养基为1/2 MS 基本培养基中附加NAA 0.5m g/L、IBA 0.1m g/L 、纳米氧化硅1g/L、白糖15g/L、土豆10 g/L、蛋白胨1.5g/L。
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