[发明专利]一种适用于硅光调制器的高速率高摆幅的驱动器电路

摘要

本发明实施例公开了一种适用于硅光调制器的高速率高摆幅的驱动器电路，其中，驱动器电路分别与驱动器前级电路、调制器负载连接，驱动器电路包括至少一条输出电路，输出电路包括：第一反相器、第一电压偏置模块、第二反相器、第二电压偏置模块以及电感；其中：第一反相器的输入端与驱动器前级电路的输出端连接；第一反相器的输出端与第一电压偏置模块的输入端连接；第一电压偏置模块的输出端与第二反相器的输入端连接；第二反相器的输出端与第二电压偏置模块的输入端连接；第二电压偏置模块的输出端与电感的输入端连接；电感的输出端与调制器负载的输入端连接。通过这样的电路连接形成的驱动器电路，在保证高速率的同时，提高了驱动器输出摆幅。

主权项

1.一种适用于硅光调制器的高速率高摆幅的驱动器电路，其特征在于，所述驱动器电路分别与驱动器前级电路、调制器负载连接，所述驱动器电路包括至少一条输出电路，所述输出电路包括：第一反相器、第一电压偏置模块、第二反相器、第二电压偏置模块以及电感；其中：所述第一反相器的输入端与所述驱动器前级电路的输出端连接；所述第一反相器的输出端与所述第一电压偏置模块的输入端连接；所述第一电压偏置模块的输出端与所述第二反相器的输入端连接；所述第二反相器的输出端与所述第二电压偏置模块的输入端连接；所述第二电压偏置模块的输出端与所述电感的输入端连接；所述电感的输出端与所述调制器负载的输入端连接，所述电感与所述调制器负载形成LC带宽扩展电路，以进行带宽扩展；所述第一反相器包括核心P型金属氧化物半导体型场效应管PMOS以及核心N型金属氧化物半导体型场效应管NMOS；所述第二反相器包括输入/输出P型金属氧化物半导体型场效应管I/OPMOS以及输入/输出N型金属氧化物半导体型场效应管I/ONMOS。