[发明专利]相移掩模坯、相移掩模和坯制备方法

摘要

在包括透明基板和其上沉积并且相对于亚200nm光具有150‑200°的相移的相移膜的相移掩模坯中，该相移膜由硅、氮和任选的氧构成的硅基材料组成，具有至多70nm的厚度，并且在该基板上沉积该相移膜的前后在该基板的表面的中央区域中提供至多0.2μm的翘曲变化。

主权项

相移掩模坯，其包括152mm的方形且6.35mm厚的透明基板和在该基板上沉积并且相对于波长至多200nm的光具有150‑200°的相移的相移膜，其中所述相移膜包括由硅和氮构成的硅基材料或者由硅、氮和氧构成的硅基材料组成的至少一层，并且具有至多70nm的厚度，并且在该基板上沉积相移膜之前与该基板上存在该相移膜之间在该基板的表面上142mm方形的中央区域中提供绝对值至多0.2μm的翘曲变化(△TIR)。