[发明专利]悬浮金属纳米间隙对结构的制备方法有效
| 申请号： | 201610191808.1 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105858597B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 顾长志;王玉瑾;李俊杰;全保刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)11391 | 代理人： | 范晓斌,薛峰 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种悬浮金属纳米间隙对结构的制备方法，属于纳米间隙领域，其步骤包括在清洗好的硅衬底基片上，沉积预定厚度的氮化硅薄膜；旋涂光刻胶，采用电子束曝光方法在所述光刻胶上制备具有预定图形的纳米桥结构；采用反应离子刻蚀方法将所述图形转移至所述氮化硅薄膜上，得到纳米间隙对结构；采用湿法腐蚀方法部分去除所述纳米间隙对结构下的硅，得到悬浮的纳米间隙对结构；采用镀膜方法在所述悬浮的纳米间隙对结构上沉积一层金属薄膜，从而获得悬浮金属纳米间隙对结构。本发明提供的一种新的悬浮金属纳米间隙对结构的制备方法，可以获得可重复性好、稳定性好的悬浮金属纳米间隙对结构。 | ||
| 搜索关键词： | 悬浮 金属 纳米 间隙 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种悬浮金属纳米间隙对结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、在清洗好的硅(100)衬底基片上，沉积预定厚度的氮化硅薄膜；s2、旋涂光刻胶，采用电子束曝光方法在所述光刻胶上制备具有预定图形的纳米桥结构；s3、采用反应离子刻蚀方法将所述图形转移至所述氮化硅薄膜上，得到纳米间隙对结构；s4、采用湿法腐蚀方法部分去除所述纳米间隙对结构下的硅，得到悬浮的纳米间隙对结构；s5、采用镀膜方法在所述悬浮的纳米间隙对结构上沉积一层金属薄膜，从而获得悬浮金属纳米间隙对结构；其中所述(100)为硅的晶面；所述悬浮金属纳米间隙对结构悬浮于所述硅(100)衬底基片上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610191808.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：切换式化学链制氢装置及制氢方法
- 下一篇：发动机油封设备
