[发明专利]一种硫系玻璃及其制备方法有效
| 申请号： | 201610187323.5 | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN105800954B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 赵华;金扬利;邱阳;祖成奎;伏开虎;刘永华 | 申请（专利权）人： | 中国建筑材料科学研究总院 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 100024*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硫系玻璃及其制备方法，涉及玻璃深加工领域，解决了硫系玻璃表面的类金刚石薄膜易破裂的技术问题。本发明的硫系玻璃包括硫系玻璃基体和沉积于硫系玻璃基体表面的镀膜层，所述镀膜层自所述硫系玻璃基体起依次包括碳化锗膜层和沉积于碳化锗膜层表面的类金刚石膜层。本发明的硫系玻璃在具有优秀的光学性能的同时，也具有较好的表面强度，本发明通过在硫系玻璃与类金刚石薄膜间引入碳化锗过渡层提高了硫系玻璃与类金刚石薄膜的附着力，避免了硫系玻璃表面的类金刚石薄膜易破裂的问题，增强了硫系玻璃的环境耐受性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 玻璃 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硫系玻璃，其特征在于，所述硫系玻璃包括硫系玻璃基体和沉积于硫系玻璃基体表面的镀膜层，所述镀膜层自所述硫系玻璃基体起依次包括碳化锗膜层和沉积于碳化锗膜层表面的类金刚石膜层；所述碳化锗膜层的厚度为0.1μm‑6μm；所述的硫系玻璃的制备方法，包括以下步骤：将硫系玻璃基体清洁干净，采用磁控溅射法，选择纯锗靶材，以甲烷和氩气的混合气体为工作气体，向所述硫系玻璃基体的表面镀制碳化锗薄膜，形成所述硫系玻璃基体的碳化锗膜层；采用等离子体化学气相沉积法，以甲烷气体为工作气体，向硫系玻璃基体表面的所述碳化锗膜层的表面镀制类金刚石薄膜，镀制结束后得到所述硫系玻璃；所述碳化锗薄膜的镀制过程为间歇式，每次的溅射时间为4min‑6min，每次的间歇时间为13min‑17min；在间歇式溅射过程中所述硫系玻璃基体的温度为20℃‑100℃；所述类金刚石薄膜的沉积过程为间歇式，每次的沉积时间为13min‑17min，每次的间歇时间为13min‑17min；在间歇式沉积过程中所述硫系玻璃基体的温度为20℃‑100℃。
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