[发明专利]薄膜生长腔室和薄膜生长装置有效
申请号: | 201610179954.2 | 申请日: | 2016-03-24 |
公开(公告)号: | CN105624648B | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 胡国新;肖蕴章;胡强;冉军学;何斌;黎天韵;朱正涛;钟山;蒋国文;王其忻 | 申请(专利权)人: | 广东省中科宏微半导体设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/34 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 510670 广东省广州市高新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种薄膜生长腔室和薄膜生长装置,薄膜生长腔室为方形腔室;方形腔室内具有至少一个托盘放置区,托盘放置区用于放置承载有待生长薄膜的基片的方形托盘;方形腔室的顶面具有至少一个进气结构,进气结构包括进气孔和与进气孔连接的方形匀气装置,每一匀气装置位于至少一个托盘放置区的上方,匀气装置用于将进气孔通入的气体均匀喷放到下方的托盘放置区,以使托盘放置区放置的方形托盘承载的基片表面生成均匀的薄膜。本发明中的方形腔室可以无限制地扩大,只要扩大的顶面上设置有进气结构,就能为下方的方形托盘内的基片提供满足薄膜均匀生长需求的均匀气体,从而能够提高薄膜生长装置的产能。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 生长 装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜生长腔室,其特征在于,所述薄膜生长腔室为方形腔室;所述方形腔室内具有至少一个托盘放置区,所述托盘放置区用于放置承载有至少一个待生长薄膜的基片的方形托盘;所述方形腔室的顶面具有至少一个进气结构,所述进气结构包括进气孔和与所述进气孔连接的方形匀气装置,每一所述匀气装置位于至少一个所述托盘放置区的上方,所述匀气装置用于将所述进气孔通入的气体均匀喷放到下方的托盘放置区,以使所述托盘放置区放置的方形托盘承载的基片表面生成均匀的薄膜;所述进气结构包括第一进气孔和第二进气孔,所述匀气装置包括与所述第一进气孔连接的第一匀气区域和与所述第二进气孔连接的第二匀气区域;所述第一匀气区域包括多个第一喷气口,所述第二匀气区域包括多个第二喷气口,所述第一喷气口和所述第二喷气口间隔排列,且所述第一喷气口和所述第二喷气口均匀分布在所述匀气装置的底面。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的